本文要点:近红外(NIR)荧光团是众多成像、通信和传感应用的有前途的候选者,但它们通常需要大型共轭支架才能在这个低能量区域实现发射。由于需要扩展共轭和合成复杂性,因此针对所需的应用调整这些系统的光物理特性是极其困难的。本文报告了通过简单地修饰外周配体来轻松调整深 NIR 发射的类二激进复合物。我们应用一种简单的基于 Hammett 参数的策略来调整一系列市售三芳基膦中封端配体的电子供体。这种微小的外围修饰显着改变了电子结构,从而改变了基于四硫代富瓦烯 (TTFtt) 的荧光团的电化学、光物理和磁性。由此产生的 ∼100 nm 吸收和发射范围跨越常见的激光线和理想的电信区域(约 1260–1550 nm)。此外,这些荧光团对局部电介质敏感,因此在深近红外区域中,它们被区分为比率成像和/或条形码的有前途的候选者。
发布时间:
2024-08-27 13:45